穩壓IC專題
由于DC/DC轉換器的功率路徑中存在寄生電感,高轉換率還會導致高頻開關節點振鈴,從而進一步增加振鈴頻率及以上的發射。
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下頁的圖7顯示了切換節點上的轉換速率和相關振鈴如何影響排放。限制開關轉換引起的EMI發射的傳統方法是通過在開關設備的柵極驅動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉換速度變慢,導致更快的發射衰減,并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發射。然而,這種開關邊緣的減速會導致開關轉換器的峰值電流效率降低2%-3%。
集成輸入旁路電容器
如前所述,由于開關節點振鈴的增加,大輸入功率環路在高頻段會導致更高的發射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低,從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器,如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外,輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI(相同板上的相同條件),包括集成和不集成旁路電容器。結果表明,在**嚴格的電視頻段(200至230 MHz)內,發射降低了9 dB,這有助于系統保持在行業標準設定的EMI限值下,而無需在電路板上安裝其他組件。
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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
與非隔離變流器不同,隔離邊界上的額外發射路徑是隔離變流器***模(CM)EMI的關鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關節點相關的寄生電容直接從一次側流向接地。由于繞組之間的寄生電容,CM電流也從初級流向次級,導致測量的CM EMI增加。按照慣例,您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。
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升壓穩壓器-穩壓IC
將輸入電壓高效轉換到更高的輸出電壓
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按類別分類:
升壓控制器(外部開關)
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升壓升壓轉換器-數據表規定了-穩壓IC
集成功率MOSFET開關。可實現的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數,可以使用以下公式進行估計:IOUT=0.65xISwitch(**小)x(VIN/VOUT)降壓升壓轉換器-ADC/DC轉換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調節輸出電壓,無論VIN高于或低于VOUT。
TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET,以節省空間并在操作模式之間無縫過渡。
分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員
轉換器(+VOUT1/–VOUT2)從一個輸入軌產生調節的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間,同時為工業和汽車應用提供了前列的性能。
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低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢-2
增強電源和信號完整性,以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性,監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準,以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術,以提高精度并將失真降至比較低。
?高級功能,如陶瓷封裝和電路板應力管理技術
管理硅和電路板壓力。
系統噪音緩解
?技術進步,使系統級抗干擾性更好
具有高電源抑制比(PSRR)、低壓差調節器(LDO)和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實現更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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