為減少電源中的電磁干擾而進行的省時、經濟高效的創新-IT穩壓IC關鍵技術
隨著電子系統變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統設計考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關電流和電壓產生的不良副產品，它來自各種物理現象，并在嚴格的電磁干擾測試中表現出來。
2、減少電磁干擾的常規方法
減少電磁干擾是一項充滿權衡的努力。減少電磁干擾的傳統方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關轉換率，這是一種直接影響效率的技術。
3、減少電磁干擾的創新
為了實現開關電源的所有優點，降低EMI技術必須解決傳統的權衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創造性解決方案，以及精確的建模技術。
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結論
電子技術的快速發展給功率轉換器的設計帶來了巨大的壓力，因為復雜的系統被塞進了越來越小的空間。敏感系統的接近性使得抑制EMI具有挑戰性。在設計功率轉換器時，必須格外小心，以符合標準機構規定的限制，以確保關鍵系統能夠在噪聲環境中安全運行。
低EMI設計可以節省大量開發周期時間，同時還可以減少電路板面積和解決方案成本。TI提供多種功能和技術來緩解EMI，如擴頻、有源EMI濾波、抵消繞組、封裝創新、集成輸入旁路電容器和真正的轉換速率控制方法。
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功率MOSFET概述：
TI基于穩壓IC的電源管理創新NexFET?技術，與穩壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。
NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
圖8說明了時域和頻域中的這些參數。-穩壓IC技術專題
在CISPR 25等標準中，通常會將fm設置在9 kHz左右，以優化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內。為了解決這一問題，您可以進一步以偽隨機方式調制三角調制，以傳播可聽能量，而不會對傳導和輻射EMI性能產生重大影響。下頁的圖9說明了時域和頻域中的這種調制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉換器）上的一個功能。
EMI不僅限于單個頻帶（因此也限于單個RBW），而是多個頻帶的事實帶來了困境，因為擴頻通常只能針對單個頻帶的改進。解決這個問題的一種新方法是一種稱為雙隨機擴頻（DRSS）的數字擴頻技術。DRS背后的基本原理是疊加兩個調制剖面，每個調制剖面針對不同的RBW。有關更多信息，請參閱應用報告“EMI抑制技術，雙隨機擴頻”
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TI穩壓IC-減少高頻發射的創新
到目前為止，我們描述的EMI緩解技術通常會減少低頻發射（<30 MHz），相應減少所需的無源濾波量以及相關的尺寸、體積和成本效益。現在，讓我們看看設計用于緩解高頻發射（>30 MHz）的技術。
火棒? 包裹
減少高頻發射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉換器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片（熱棒）封裝，有助于降低功率回路電感，進而減少開關節點振鈴。
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TI穩壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運行開關電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結構和優點。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設備的另一個好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉換器輸入電容的布局安排。通過優化DC/DC轉換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對稱性，輸入功率回路產生的反向磁場位于對稱回路內，從而將對附近系統的發射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴格的FM頻段，如下圖17所示。
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