自發(fā)輻射量子物理噪聲源芯片基于原子或分子的自發(fā)輻射過程來產(chǎn)生隨機(jī)噪聲。當(dāng)原子或分子處于激發(fā)態(tài)時，會自發(fā)地向低能態(tài)躍遷，并輻射出光子，這個自發(fā)...
相位漲落量子物理噪聲源芯片利用光場的相位漲落來產(chǎn)生噪聲。光在傳播過程中，由于各種因素的影響，其相位會發(fā)生隨機(jī)漲落。通過檢測這種相位漲落，可以...
QRNG的原理深深植根于量子物理的奧秘之中。量子力學(xué)中的許多概念，如量子疊加、量子糾纏和量子不確定性原理，為QRNG提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。量...
國產(chǎn)高Q值電容近年來取得了卓著的發(fā)展，但仍面臨一些挑戰(zhàn)。在技術(shù)研發(fā)方面，國內(nèi)企業(yè)不斷加大投入，努力提高高Q值電容的性能和制造工藝。一些國產(chǎn)高...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請國家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國際化團(tuán)隊(duì)，成員來自中國大陸，美國，中國臺灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
