驅(qū)動電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅(qū)動電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能,以實現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅(qū)動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現(xiàn)電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅(qū)動?xùn)艠O關(guān)斷所存儲的能量可能不夠。驅(qū)動集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用,許多驅(qū)動芯片自帶保護和隔離功能。奉賢區(qū)挑選驅(qū)動電路貨源充足
另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩,因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。奉賢區(qū)挑選驅(qū)動電路貨源充足隔離驅(qū)動:電路包含隔離器件,常用的有光耦驅(qū)動、變壓器驅(qū)動以及隔離電容驅(qū)動等。
一、驅(qū)動電路概述驅(qū)動電路是位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路,即將控制電路輸出的信號放大到足以驅(qū)動功率晶體管的程度,實現(xiàn)開關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于計算機、通信設(shè)備、電視、汽車、機器人等領(lǐng)域。二、驅(qū)動電路的作用功率放大:驅(qū)動電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號放大,以驅(qū)動功率開關(guān)器件的開斷。提高系統(tǒng)可靠性:優(yōu)良的驅(qū)動電路能夠減少器件的開關(guān)損耗,提高能量轉(zhuǎn)換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。
有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。驅(qū)動電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著重要的作用,是實現(xiàn)各種功能和提升電子器件性能和效率的關(guān)鍵。
在Windows 9x下,驅(qū)動程序按照其提供的硬件支持可以分為:聲卡驅(qū)動程序、顯卡驅(qū)動程序、鼠標驅(qū)動程序、主板驅(qū)動程序、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備驅(qū)動程序、打印機驅(qū)動程序、掃描儀驅(qū)動程序等等。為什么沒有CPU、內(nèi)存驅(qū)動程序呢?因為CPU和內(nèi)存無需驅(qū)動程序便可使用,不僅如此,絕大多數(shù)鍵盤、鼠標、硬盤、軟驅(qū)、顯示器和主板上的標準設(shè)備都可以用Windows自帶的標準驅(qū)動程序來驅(qū)動,當(dāng)然其它特定功能除外。如果你需要在Windows系統(tǒng)中的DOS模式下使用光驅(qū),那么還需要在DOS模式下安裝光驅(qū)驅(qū)動程序。傳感器驅(qū)動:驅(qū)動電路可以將傳感器檢測到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號,例如溫度傳感器、壓力傳感器等。浦東新區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路服務(wù)熱線
當(dāng)柵極電壓低于閾值時,MOS管會關(guān)斷。驅(qū)動電路正是通過調(diào)整柵極電壓來控制MOS管的開通和關(guān)斷狀態(tài)。奉賢區(qū)挑選驅(qū)動電路貨源充足
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸2⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。奉賢區(qū)挑選驅(qū)動電路貨源充足
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