注:可使用電壓檢測法較容易找到問題,檢測數據口的電壓與正常的是否不同,確定故障區域。十、全亮時有單點或多點(無規律的)不亮1、找到該模塊對應的控制腳測量是否與本行短路。2、更換模塊或單燈。十一、在行掃描時,兩行或幾行(一般是2的倍數,有規律性的)同時點亮1、檢測A、B、C、D各信號之間是否短路。2、檢測4953輸出端是否與其它輸出端短路。十二、所有LED都不亮總電源沒有打開;部分LED不亮:開關電源輸出接線極性接反或者模組連線有斷路現象。十三、所有LED昏暗半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線,光的強弱與電流有關。蘇州推廣LED顯示屏原料
九、顯示缺色1、檢測245的該顏色的數據端是否有輸入輸出。2、檢測該顏色的數據信號是否短路到其它線路。3、檢測該顏色的驅動IC之間的級連數據口是否有斷路或短路、虛焊。注:可使用電壓檢測法較容易找到問題,檢測數據口的電壓與正常的是否不同,確定故障區域。十、全亮時有單點或多點(無規律的)不亮1、找到該模塊對應的控制腳測量是否與本行短路。2、更換模塊或單燈。十一、在行掃描時,兩行或幾行(一般是2的倍數,有規律性的)同時點亮1、檢測A、B、C、D各信號之間是否短路。蘇州推廣LED顯示屏原料實現紅黃綠藍橙多色發光。如小電流時為紅色的LED,隨著電流的增加。
早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP,發紅光(λp=650nm),在驅動電流為20 毫安時,光通量只有千分之幾個流明,相應的發光效率約0.1流明/瓦。70年代中期,引入元素In和N,使LED產生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。到了80年代初,出現了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。90年代初,發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識,一個商用二極管產生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(發光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以LED的抗震性能好。采用LED光源進行照明,首先取代耗電的白熾燈,然后逐步向整個照明市場進軍,將會節約大量的電能。近期,白色LED已達到單顆用電超過1瓦,光輸出 25流明,也增大了它的實用性。產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例。
再到2005年的60lm/W,自從2006年日本的日亞公司向市場提供100lm/W的白光LED,至今超過100lm/W的白光LEDCree公司就已經出貨百萬以上.近幾年,白光LED的研發成果:2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen,流明),他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發光效率,高照明方面有著誘人的前景.發光二極管的心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片,在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層。蘇州推廣LED顯示屏原料
早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。蘇州推廣LED顯示屏原料
到了80年代初,出現了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。90年代初,發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。初LED用作儀器儀表的指示光源,后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用,產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例蘇州推廣LED顯示屏原料
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