TI的大型非**投資組合-穩壓IC:
直流/直流負載點解決方案解決了規模、效率、性能或成本問題約束條件。我們的解決方案范圍從分立器件到集成電源解決方案,集成電路封裝中包含磁性。由于工作電壓高達100V,TI的寬VIN產品組合消除了輸入保護組件,以降低成本和解決方案尺寸。降壓式DC/DC轉換器-集成MOSFET技術-穩壓IC在過去幾年中達到了較高的密度,以在較小的封裝中提供更高的效率。
TI的DC/DC轉換器提供了許多高達30A的引人注目的解決方案。
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TI穩壓IC-減少高頻發射的創新
到目前為止,我們描述的EMI緩解技術通常會減少低頻發射(<30 MHz),相應減少所需的無源濾波量以及相關的尺寸、體積和成本效益。現在,讓我們看看設計用于緩解高頻發射(>30 MHz)的技術。
火棒? 包裹
減少高頻發射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉換器,如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片(熱棒)封裝,有助于降低功率回路電感,進而減少開關節點振鈴。
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結論
電子技術的快速發展給功率轉換器的設計帶來了巨大的壓力,因為復雜的系統被塞進了越來越小的空間。敏感系統的接近性使得抑制EMI具有挑戰性。在設計功率轉換器時,必須格外小心,以符合標準機構規定的限制,以確保關鍵系統能夠在噪聲環境中安全運行。
低EMI設計可以節省大量開發周期時間,同時還可以減少電路板面積和解決方案成本。TI提供多種功能和技術來緩解EMI,如擴頻、有源EMI濾波、抵消繞組、封裝創新、集成輸入旁路電容器和真正的轉換速率控制方法。
集成輸入旁路電容器
如前所述,由于開關節點振鈴的增加,大輸入功率環路在高頻段會導致更高的發射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低,從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器,如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外,輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI(相同板上的相同條件),包括集成和不集成旁路電容器。結果表明,在**嚴格的電視頻段(200至230 MHz)內,發射降低了9 dB,這有助于系統保持在行業標準設定的EMI限值下,而無需在電路板上安裝其他組件。
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低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢
增強電源和信號完整性,以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性,監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準,以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術,以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優化的低噪聲互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝,減少工藝的非理想性。
?利用先進的電路和測試技術減少工藝非理想性的影響。
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低靜態電流(IQ)-穩壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統的系統性能的情況下延長電池和保質期,在空載或輕載條件下實現高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時嚴格調節輸出。
憑借TI的**智商技術和產品組合,您可以比較大限度地延長電池運行時間,并在下一次設計中實現低功耗。
低待機功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓撲延長電池運行時間
快速響應時間
?通過快速喚醒電路和自適應偏置增強系統功能,以提高動態響應時間,同時保持**靜態功耗
小外形尺寸
?應用程序支持模具和封裝尺寸,無需通過TI的**電路技術,降低靜態功耗。
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