RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產生壓降，還會造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關斷前C*將上次關斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小。對緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應采用低感或無感吸收電容，它的引線應盡量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應采用快開通和快軟恢復二極管，以免產生開通過電壓，和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。，得出了設計時應注意的幾點事項：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；⑵柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大的影響，所以設計時要綜合考慮；⑶應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達到短路保護的目的。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。安徽進口模塊推薦貨源
⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅動源應能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的Ic增大，IGBT能承受短路電流的時間減小，對其安全不利，因此在有短路過程的設備中Uge應選得小些，一般選12～15V；在關斷過程中，為盡快抽取PNP管的存儲電荷，須施加一負偏壓Uge,但它受IGBT的G、E間**大反向耐壓限制，一般取1～10V；⑻在大電感負載下，IGBT的開關時間不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰電壓，確保IGBT的安全；⑼由于IGBT在電力電子設備中多用于高壓場合，故驅動電路與控制電路在電位上應嚴格隔離；⑽IGBT的柵極驅動電路應盡可能簡單實用，**好自身帶有對IGBT的保護功能。進口模塊成本價二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。
1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時，加強了PN結的內電場，二極管呈現很大電阻，此時*有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區，此時電流稱為反向飽和電流。實際應用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達幾百微安，大功率二極管稍大些。2）當反向電壓增大到一定數值時，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區，D點對應的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。
雙向可控硅應用現在可控硅應用市場很多，可控硅應用在自動控制領域，機電領域，工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單，可見可控硅在人們的生活中都有應用。更重要的是，可控硅應用相當穩定，比方說用于家電產品中的電子開關，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴大的可控硅的應用市場，減少了投資的風險。可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。該器件還適用于通用線電壓整流器應用，如電源和標準驅動。
其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IGBT模塊工作頻率**提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關頻率相應下降，下面列出英飛凌IGBT模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。600V“DLC”開關頻率可達到30KHz600V“KE3”開關頻率可達到30KHz1200V“DN2”開關頻率可達到20KHz1200V“KS4”開關頻率可達到40KHz1200V“KE3”開關頻率可達到10KHz1200V“KT3”開關頻率可達到15KHz1700V“DN2”開關頻率可達到10KHz1700V“DLC”開關頻率可達到5KHz1700V“KE3”開關頻率可達到5KHz3300V“KF2C”開關頻率可達到3KHz6500V“KF1”開關頻率可達到1KHz。二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線。貴州節能模塊
通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。安徽進口模塊推薦貨源
過零觸發型交流固態繼電器（AC-SSR）的內部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發電路、開關電路（包括雙向晶閘管）、保護電路（RC吸收網絡）。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。固態繼電器具有驅動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統的電磁繼電器。雙向可控硅可用于工業、交通、家用電器等領域，實現交流調壓、電機調速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調光、舞臺調光等多種功能，它還被用于固態繼電器（SSR）和固態接觸器電路中。安徽進口模塊推薦貨源
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