電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下自由電荷的儲藏量，記為C，國際單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。電容是...

線性穩壓器（Linear Regulator）使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。其產品均采用小型封裝，具有出色的性能，并且提供熱過載保護、安全限流等增值特性，關斷模式還能大幅降低功耗。實際的線性...

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的...

14、快速關斷（階躍恢復）二極管 （Step Recovary Diode）它也是一種具有 PN 結的二極管。其結構上的特點是：在 PN 結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成“自助電場”。由于 PN 結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在 PN 結附近具有電...

整流二極管是一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。這里我們來聊一聊關于整流二極管的作用是什么,整流二極管的作用具有非常明顯的單向導電性，在電路中，電流只能從二...

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反...

電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為C，國際單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。電容是指容...

旁路電容：旁路電容，又稱為退耦電容，是為某個器件提供能量的儲能器件，它利用了電容的頻率阻抗特性（理想電容的頻率特性隨頻率的升高，阻抗降低），就像一個水塘，它能使輸出電壓輸出均勻，降低負載電壓波動。 旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳，這是阻抗要求...

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電...

低頻瓷介電容符號：CT電容量：10p--4.7u額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差應用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容符號：CI電容量：10p--0.1u額定電壓：63--400V主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）...

電容是電路設計中是為普通常用的器件，是無源元件之一，有源器件簡單地說就是需能(電)源的器件叫有源器件, 無需能(電)源的器件就是無源器件。電容也常常在高速電路中扮演重要角色。旁路電容：旁路電容，又稱為退耦電容，是為某個器件提供能量的儲能器件，它利用了電容的頻率...

按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、**...

半導體二極管的識別方法：a;目視法判斷半導體二極管的極性:一般在實物的電路圖中可以通過眼睛直接看出半導體二極管的正負極.在實物中如果看到一端有顏色標示的是負極,另外一端是正極.b;用萬用表(指針表)判斷半導體二極管的極性:通常選用萬用表的歐姆檔(R﹡100或R...

如果晶體管為PNP型，則通常處于ON狀態，但不是可以說是完美的，直到基腳完全接地為止.將基極引腳接地后，晶體管將處于反向偏置狀態或被稱為導通狀態.作為提供給基極引腳的電源，它停止了從集電極到發射極的電流傳導，并且晶體管處于截止狀態或正向偏置狀態.為保護晶體管，...

通俗易懂的三極管工作原理*1、晶體三極管簡介。晶體三極管是p型和n型半導體的有機結合，兩個pn結之間的相互影響，使pn結的功能發生了質的飛躍，具有電流放大作用。晶體三極管按結構粗分有npn型和pnp型兩種類型。如圖2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三極管之...

便攜電子設備不管是由交流市電經過整流(或交流適配器)后供電，還是由蓄電池組供電，工作過程中，電源電壓都將在很大范圍內變化。比如單體鋰離子電池充足電時的電壓為4.2V，放完電后的電壓為2.3V，變化范圍很大。各種整流器的輸出電壓不但受市電電壓變化的影響，還受負載...

1、檢波用二極管就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于 100mA 的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達 400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為 2AP 型。類似點觸型那樣...

線性穩壓器的優勢分析除了簡單易用之外，線性穩壓器還擁有其他的性能優勢。電源管理供應商開發了許多集成型線性穩壓器。典型的集成線性穩壓器只需要VIN、VOUT、 FB和任選的GND引腳。圖4示出了一款典型的3引腳線性穩壓器LT1083，它是凌力爾特公司在20多年前...

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能...

1，相互靠近，彼此絕緣的兩個金屬構成了電容器。2，由于正負電荷間相互吸引，電容器具有了容納電荷的能力。3，電容器的大小由電容器構造決定：兩個金屬的正對面積、相互的距離、絕緣材料的好壞）電容器的作用：1，隔直通交實際運用中電容器具有隔斷直流電通過交流電的性質。（...

反向恢復時間 (trr) 是指開關二極管從導通狀態到完全關閉狀態所經過的時間。一般關斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發優化材料或擴散重金屬從而縮短trr，抑制反沖后振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery...

三極管基極偏置電路分析較為困難，掌握一些電路分析方法可以方便基極偏置電路的分析。1、電路分析的***步是在電路中找出三極管的電路符號，如圖所示，然后在三極管電路符號中后找出基極，這是分析基極偏置電路的關鍵一步。2、弟二步從基極出發，將與基極和電源端相連的所有元...

通俗易懂的三極管工作原理*1、晶體三極管簡介。晶體三極管是p型和n型半導體的有機結合，兩個pn結之間的相互影響，使pn結的功能發生了質的飛躍，具有電流放大作用。晶體三極管按結構粗分有npn型和pnp型兩種類型。如圖2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三極管之...

3、限幅元件二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為 0.7V，鍺管為 0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。4、繼流二極管在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機中起檢波作用...

當三極管滿足必要的工作條件后，其工作原理如下：(1)基極有電流流動時。由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發射極向基極移動，又因為C極和E極間施加了反向電壓，因此，從發射極向基極移動的電子，在高電壓的作用下，通過基極進入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作...

晶體管的結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。結構如圖(a)所示，位于中間的P區稱為基區，它很薄且雜質濃度很低；位于上層的N區是發射區，摻雜濃度很高；位于下層的N區是集電區，面積很大；它們分別引出電極為基...

三極管（BJT管），也稱為雙性型晶體管三極管是一個人丁興旺的“大家族”，其人員眾多。因此在電子電路中如果沒有三極管的話那么這個電路將“一事無成”。電路中的很多元件都是為三極管服務的，比如電阻、電容等。有必要和大家對三極管進行一下剖析，下面讓我們看看三極管的“廬...

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)---...

現代線性穩壓器，以滿足一個獨特的結構數量提供具有挑戰性的要求。基本上，線性穩壓器是一個運算放大器和晶體管加答運算放大器使用兩個參考點- 一個是內部帶隙基準，另一種是分頻電路的輸出電阻。在監管過程中，電阻分壓器電路提供的運算放大器相比，帶隙參考意見。比較的結果決...

三極管三極管是電流控制型器件，基極（B）的電流控制發射極（E）和集電極（C）之間的電流。下面以NPN管為例圖示如下。NPN管的原理圖示三極管好像是一個為了取小水而漏掉大水的例子。如上圖所示，當不取水時，閥門關閉了大小管道，都沒有電流。當通過小管道開啟閥門取一點...